IXFN72N55Q2 IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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Microchip Technology

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IXFN72N55Q2
DigiKey-Teilenr.	IXFN72N55Q2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN72N55Q2
Beschreibung	MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 550 V 72 A (Tc) 890W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 8mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 258 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Q2 Class	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10500 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 72 A (Tc)	Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFN72
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 72mOhm bei 500mA, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
APT51F50J	Microchip Technology	0	APT51F50J-ND	23,41000 €	Ähnlich

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