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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXFQ50N60X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFQ50N60X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFQ50N60X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 116 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4660 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 660W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 73mOhm bei 25A, 10V |
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