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STMicroelectronics
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Stückpreis : 2,73000 €
Datenblatt
N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS247™
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFR10N100Q

DigiKey-Teilenr.
IXFR10N100Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFR10N100Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS247™
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 4mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2900 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOPLUS247™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STW6N95K5STMicroelectronics0497-12874-5-ND2,73000 ۀhnlich
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