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Rohm Semiconductor
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Datenblatt
N-Kanal 850 V 66 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
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IXFX66N85X

DigiKey-Teilenr.
IXFX66N85X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFX66N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 66 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
230 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8900 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS247™-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SCT3040KLGC11Rohm Semiconductor0SCT3040KLGC11-ND33,00000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
123,42000 €23,42 €
3015,14833 €454,45 €
12014,45300 €1.734,36 €
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Stückpreis mit MwSt.:27,86980 €