N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXFY8N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFY8N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFY8N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPD60R600P7SAUMA1Infineon Technologies379IPD60R600P7SAUMA1CT-ND0,89000 ۀhnlich
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and Storage2.000TK560P65YRQCT-ND1,17000 ۀhnlich
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