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IXTA12N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTA12N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA12N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 180W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB65R310CFDAATMA1CT-ND | 2,42000 € | Ähnlich |
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011ENJTLCT-ND | 3,98000 € | Ähnlich |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | 2,60000 € | Ähnlich |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | 1,50687 € | Ähnlich |
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB12N60E-GE3-ND | 2,37000 € | Ähnlich |




