N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA1R6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA1R6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA1R6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10Ohm bei 800mA, 0V
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
645 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 700
Informationen zur Lieferzeit

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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,07000 €4,07 €
502,38260 €119,13 €
1002,09310 €209,31 €
5001,81386 €906,93 €
1.0001,55524 €1.555,24 €
2.0001,51861 €3.037,22 €
Standardverpackung des Herstellers
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