N-Kanal 1000 V 30 A (Tc) 800W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
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IXTB30N100L

DigiKey-Teilenr.
IXTB30N100L-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTB30N100L
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Standardlieferzeit des Herstellers
49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 30 A (Tc) 800W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
545 nC @ 20 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13200 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
800W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS264™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 500mA, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
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