
IXTB30N100L | |
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DigiKey-Teilenr. | IXTB30N100L-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTB30N100L |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 49 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1000 V 30 A (Tc) 800W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™ |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 545 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13200 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 800W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PLUS264™ |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 500mA, 20V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 300 | 48,64017 € | 14.592,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 48,64017 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 57,88180 € |

