IXTH20N50D IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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IXTH20N50D
DigiKey-Teilenr.	IXTH20N50D-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH20N50D
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 20 A (Tc) 400W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 330mOhm bei 10A, 10V
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 125 nC @ 10 V
Serie Depletion	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2500 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
FET-Typ N-Kanal, Verarmungsmodus	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTH20