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IXTH80N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTH80N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH80N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 80A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 144 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7753 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 890W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 40mOhm bei 40A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW65R045C7FKSA1-ND | 7,55000 € | Ähnlich |
| SCT3030ALGC11 | Rohm Semiconductor | 0 | SCT3030ALGC11-ND | 21,54000 € | Ähnlich |
| STW70N65M2 | STMicroelectronics | 0 | STW70N65M2-ND | 4,97608 € | Ähnlich |
| TPH3207WS | Renesas Electronics Corporation | 0 | TPH3207WS-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 8,28000 € | 8,28 € |
| 30 | 7,12100 € | 213,63 € |
| 120 | 6,85850 € | 823,02 € |
| 510 | 6,78747 € | 3.461,61 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 8,28000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 9,85320 € |





