P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTK32P60P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTK32P60P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTK32P60P
Beschreibung
MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Standardlieferzeit des Herstellers
37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
196 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11100 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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