Name: IXTN200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTN200N10L2-ND
Price: 49.2422 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 100 V 178 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTN200N10L2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTN200N10L2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTN200N10L2
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 178 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 540 nC @ 10 V
Serie Linear L2™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 23000 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 178 A (Tc)	Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTN200
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 100A, 10V

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