N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP1R6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP1R6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP1R6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10Ohm bei 800mA, 0V
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
645 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 950
Informationen zur Lieferzeit

Dies ist der beim Lieferanten verfügbare Bestand, der DigiKey möglicherweise bei Eingang der Bestellung zur Verfügung steht.

Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,91000 €3,91 €
502,01800 €100,90 €
1001,83490 €183,49 €
5001,51392 €756,96 €
1.0001,41085 €1.410,85 €
2.0001,39509 €2.790,18 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,65290 €