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IXTP3N110

DigiKey-Teilenr.
IXTP3N110-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP3N110
Beschreibung
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1100 V 3 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1100 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4Ohm bei 1,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe