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IXTP3N110 | |
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DigiKey-Teilenr. | IXTP3N110-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP3N110 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1100 V 3 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1100 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4Ohm bei 1,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP2R4N120P | IXYS | 0 | IXTP2R4N120P-ND | 5,84000 € | Ähnlich |
| IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFBG30PBF-ND | 3,04000 € | Ähnlich |
| STP3NK90Z | STMicroelectronics | 0 | 497-12789-5-ND | 2,28000 € | Ähnlich |




