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Vishay Siliconix
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Datenblatt
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP3N50D2

DigiKey-Teilenr.
IXTP3N50D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP3N50D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1070 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,5A, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP5N50D-GE3Vishay Siliconix0742-SIHP5N50D-GE3-ND0,00000 ۀhnlich
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