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N-Kanal 100 V 64 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 100 V 64 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
ITO-220AB Tab

IXTP64N10L2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP64N10L2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP64N10L2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 64 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3620 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
32mOhm bei 32A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMNH10H028SCTDiodes Incorporated0DMNH10H028SCTDI-5-ND1,47000 ۀhnlich
FDP3672onsemi0FDP3672-ND2,05000 ۀhnlich
FQP55N10onsemi0FQP55N10-ND0,00000 ۀhnlich
HUF75639P3onsemi0HUF75639P3-ND2,68000 ۀhnlich
IRF540ZPBFInfineon Technologies0IRF540ZPBF-ND1,43000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
116,00000 €16,00 €
509,46740 €473,37 €
1008,90230 €890,23 €
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