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IXTP8N65X2M | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTP8N65X2M-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP8N65X2M |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 800 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 32W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 550mOhm bei 4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP600N60Z | onsemi | 0 | FCP600N60ZOS-ND | 2,63000 € | Ähnlich |
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R600P7XKSA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP80R600P7XKSA1-ND | 0,73166 € | Ähnlich |
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPP07N60C3XKSA1-ND | 2,52000 € | Ähnlich |
| STP10NM60ND | STMicroelectronics | 626 | 497-12276-ND | 2,17000 € | Ähnlich |
Dies ist der beim Lieferanten verfügbare Bestand, der DigiKey möglicherweise bei Eingang der Bestellung zur Verfügung steht.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,71000 € | 2,71 € |
| 50 | 1,82840 € | 91,42 € |
| 100 | 1,57190 € | 157,19 € |
| 500 | 1,12848 € | 564,24 € |
| 1.000 | 1,07386 € | 1.073,86 € |
| 2.000 | 0,98782 € | 1.975,64 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,71000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,22490 € |






