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N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP8N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXTP8N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP8N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP600N60Zonsemi0FCP600N60ZOS-ND2,63000 ۀhnlich
IPP60R600P7XKSA1Infineon Technologies0448-IPP60R600P7XKSA1-ND0,00000 ۀhnlich
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STP10NM60NDSTMicroelectronics626497-12276-ND2,17000 ۀhnlich
Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 1.450
Informationen zur Lieferzeit

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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,71000 €2,71 €
501,82840 €91,42 €
1001,57190 €157,19 €
5001,12848 €564,24 €
1.0001,07386 €1.073,86 €
2.0000,98782 €1.975,64 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,22490 €