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onsemi
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Datenblatt
N-Kanal 250 V 76 A (Tc) 460W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ76N25T

DigiKey-Teilenr.
IXTQ76N25T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ76N25T
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 76 A (Tc) 460W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
92 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4500 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
460W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
39mOhm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FDA69N25onsemi0FDA69N25-ND4,08000 €Direkter Ersatz
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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