IXTY01N80 IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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IXTY01N80
DigiKey-Teilenr.	IXTY01N80-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY01N80
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 25µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 60 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100mA (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50Ohm bei 100mA, 10V	Basis-Produktnummer IXTY01

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
RFD3055LESM9A	onsemi	0	RFD3055LESM9ACT-ND	0,46000 €	Ähnlich

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IXTY01N80