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IXTY2N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTY2N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTY2N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 2 A (Tc) 55W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 180 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 55W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3Ohm bei 1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | onsemi | 0 | FDD5N60NZTMCT-ND | 1,06000 € | Ähnlich |
| IPD70R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD70R2K0CEAUMA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND | 1,07000 € | Ähnlich |
| STD4N62K3 | STMicroelectronics | 433 | 497-STD4N62K3CT-ND | 1,96000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,41000 € | 2,41 € |
| 70 | 1,13300 € | 79,31 € |
| 140 | 1,02421 € | 143,39 € |
| 560 | 0,85564 € | 479,16 € |
| 1.050 | 0,79645 € | 836,27 € |
| 2.030 | 0,74360 € | 1.509,51 € |
| 5.040 | 0,72265 € | 3.642,16 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,41000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,86790 € |





