N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY4N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXTY4N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY4N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
455 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
850mOhm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 36
Bestand des Herstellers: 2.660
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,93000 €2,93 €
701,40171 €98,12 €
1401,27186 €178,06 €
5601,07073 €599,61 €
1.0501,00011 €1.050,12 €
2.0300,94266 €1.913,60 €
Standardverpackung des Herstellers
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