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Central Semiconductor Corp
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 500 mW Durchkontaktierung TO-18
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2N3700

DigiKey-Teilenr.
2N3700MS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N3700
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO-18
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 500 mW Durchkontaktierung TO-18
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10nA
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 500mA, 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
500 mW
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
2N3701Central Semiconductor Corp02N3701-ND0,00000 ۀhnlich
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1003,73940 €373,94 €
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