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![N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]](http://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/derivates/1/200/154/935/TO-247-3-PKG-Series_sml.jpg "N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]")
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
APT47N65BC3G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 150-APT47N65BC3G-ND |
Hersteller | Microsemi Corporation |
Hersteller-Teilenummer | APT47N65BC3G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 47A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B] |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 2,7mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 260 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7015 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 417W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 [B] |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 70mOhm bei 30A, 10V |
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