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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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Datenblatt
N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 335W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT9M100B

DigiKey-Teilenr.
APT9M100B-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
APT9M100B
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 335W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2605 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
335W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOK9N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOK9N90-ND2,22283 €Direkter Ersatz
IXFH10N100PIXYS0IXFH10N100P-ND6,96000 ۀhnlich
IXFH12N120IXYS0IXFH12N120-ND8,55467 ۀhnlich
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