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Diotec Semiconductor
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Datenblatt
N-Kanal 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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2N7000BU

DigiKey-Teilenr.
2N7000BU-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N7000BU
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2N7000BU Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Lose im Beutel
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
2N7000Diotec Semiconductor04878-2N7000CT-ND0,23000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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