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onsemi
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Stückpreis : 0,36000 €
Datenblatt
N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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BS170-D75Z

DigiKey-Teilenr.
BS170-D75ZCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
BS170-D75ZTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BS170-D75Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
40 pF @ 10 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 200mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
BS170onsemi0BS170-ND0,36000 €Vom Hersteller empfohlen
Manufacturer Quote Required
Obsolet
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