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FCH085N80-F155 | |
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DigiKey-Teilenr. | FCH085N80-F155-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCH085N80-F155 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 46 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCH085N80-F155 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 4,6mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 255 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10825 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 446W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 85mOhm bei 23A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | 0 | SCT3060ALGC11-ND | 12,96000 € | Ähnlich |
| SIHG33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHG33N60EF-GE3-ND | 6,68000 € | Ähnlich |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG40N60E-GE3-ND | 5,95000 € | Ähnlich |
| SIHW47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW47N65E-GE3-ND | 3,41334 € | Ähnlich |





