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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FCP110N65F | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCP110N65FOS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCP110N65F |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCP110N65F Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 3,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 145 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4895 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 357W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 17,5A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R099CPAAKSA1-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| SIHP33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP33N60E-GE3-ND | 5,72000 € | Ähnlich |
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| STP35N60DM2 | STMicroelectronics | 0 | 497-16359-5-ND | 3,88000 € | Ähnlich |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 6,19000 € | 6,19 € |
| 50 | 3,33240 € | 166,62 € |
| 100 | 3,05680 € | 305,68 € |
| 500 | 2,57830 € | 1.289,15 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 6,19000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 7,36610 € |
