Direkter Ersatz
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FCP165N65S3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCP165N65S3OS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCP165N65S3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 19 A (Tc) 154W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCP165N65S3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,9mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 154W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 165mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TK20E60W,S1VX-ND | 5,55000 € | Direkter Ersatz |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R180C7XKSA1-ND | 2,34000 € | Ähnlich |
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R180P7XKSA1-ND | 2,30000 € | Ähnlich |
| SIHP22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60EL-GE3-ND | 1,57214 € | Ähnlich |
| SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-SPP24N60C3XKSA1-ND | 3,57000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,48000 € | 3,48 € |
| 50 | 1,93320 € | 96,66 € |
| 100 | 1,85130 € | 185,13 € |
| 500 | 1,63446 € | 817,23 € |
| 1.000 | 1,52547 € | 1.525,47 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,48000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,14120 € |








