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FCP190N65F | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCP190N65F-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCP190N65F |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCP190N65F Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 2mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3225 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 10A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 0 | 488-FCP190N65S3R0-ND | 1,95000 € | Ähnlich |
| SIHP22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60E-GE3-ND | 2,79000 € | Ähnlich |
| SIHP24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-GE3-ND | 5,43000 € | Ähnlich |
| STP20N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-13538-ND | 3,37000 € | Ähnlich |
| STP24N60DM2 | STMicroelectronics | 0 | 497-14571-5-ND | 3,36000 € | Ähnlich |
Dies ist der beim Lieferanten verfügbare Bestand, der DigiKey möglicherweise bei Eingang der Bestellung zur Verfügung steht.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,82000 € | 3,82 € |
| 50 | 2,15700 € | 107,85 € |
| 100 | 2,05800 € | 205,80 € |
| 500 | 1,87680 € | 938,40 € |
| 1.000 | 1,79129 € | 1.791,29 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,82000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,54580 € |







