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N-Kanal 650 V 19 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCPF165N65S3L1

DigiKey-Teilenr.
FCPF165N65S3L1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCPF165N65S3L1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 19 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1,9mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1415 pF @ 400 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 9,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
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