FDD6N50FTM onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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FDD6N50FTM
DigiKey-Teilenr.	FDD6N50FTMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD6N50FTMCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD6N50FTM
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 5,5 A (Tc) 89W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19.8 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 960 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FDD6N50
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,15Ohm bei 2,75A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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FDD6N50FTM