Name: FDMS039N08B
Brand: onsemi
SKU: FDMS039N08BTR-ND
Price: 3.1773 EUR
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics

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FDMS039N08B
DigiKey-Teilenr.	FDMS039N08BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMS039N08BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMS039N08BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS039N08B
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 19,4 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7600 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19,4 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FDMS039
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 50A, 10V