Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich



FDP2532 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDP2532-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP2532 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 150 V 8 A (Ta), 79 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 107 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5870 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 310W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16mOhm bei 33A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP110N12T2 | IXYS | 0 | IXTP110N12T2-ND | 2,02120 € | Ähnlich |
| PSMN030-150P,127 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-4659-ND | 1,23629 € | Ähnlich |
| RBE039N15R1SZQ4#GB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE039N15R1SZQ4#GB0TR-ND | 1,96676 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,62000 € | 3,62 € |
| 50 | 1,96320 € | 98,16 € |
| 100 | 1,88060 € | 188,06 € |
| 500 | 1,56986 € | 784,93 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,62000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,30780 € |




