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FDP86363-F085 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vom Hersteller empfohlen
Direkter Ersatz
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FDP86363-F085 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDP86363-F085-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP86363-F085 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 110 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP86363-F085 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 150 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10000 pF @ 40 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,8mOhm bei 80A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H800NT1G | onsemi | 0 | NVMFS6H800NT1GOSCT-ND | 5,02000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND | 3,87000 € | Direkter Ersatz |
| AOT282L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT282L-ND | 1,59976 € | Ähnlich |
| TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK100E10N1S1X-ND | 3,97000 € | Ähnlich |
Obsolet
