N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
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FQA8N100C

DigiKey-Teilenr.
FQA8N100CFS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQA8N100C
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3220 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,45Ohm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,84000 €2,84 €
302,32067 €69,62 €
1202,29908 €275,89 €
5102,19294 €1.118,40 €
1.0202,16890 €2.212,28 €
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