FQD1N60CTM onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

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FQD1N60CTM
DigiKey-Teilenr.	FQD1N60CTMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD1N60CTM
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.2 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 170 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQD1N60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,5Ohm bei 500mA, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
STD1NK60T4	STMicroelectronics	0	497-2483-1-ND	1,33000 €	Ähnlich

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