FQD3N60CTM-WS onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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FQD3N60CTM-WS
DigiKey-Teilenr.	FQD3N60CTM-WSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD3N60CTM-WS
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 2,4 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQD3N60CTM-WS Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 565 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQD3N60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,4Ohm bei 1,2A, 10V