FQP12P10 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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FQP12P10
DigiKey-Teilenr.	FQP12P10-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP12P10
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 11,5 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQP12P10 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 800 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQP12
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 290mOhm bei 5,75A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
FQP17P10	onsemi	0	FQP17P10-ND	0,00000 €	Vom Hersteller empfohlen
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