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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 4 A 3MHz 30 W Durchkontaktierung TO-220-3
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KSB596YTU

DigiKey-Teilenr.
KSB596YTU-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
KSB596YTU
Beschreibung
TRANS PNP 80V 4A TO-220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 4 A 3MHz 30 W Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
KSB596YTU Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 500mA, 5V
Herst.
Leistung - Max.
30 W
Verpackung
Stange
Frequenz - Übergang
3MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,7V bei 300mA, 3A
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
70µA (ICBO)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Obsolet
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