NTD5802NT4G onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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NTD5802NT4G
DigiKey-Teilenr.	NTD5802NT4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTD5802NT4GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTD5802NT4G
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 16,4 A (Ta), 101 A (Tc) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTD5802NT4G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5025 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16,4 A (Ta), 101 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,4mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer NTD5802

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