Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 6.9377 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTSC1D6N10MCTXG
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-TDFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7630 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5,1W (Ta), 291W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TDFNW (8,3x8,4)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 90A, 10V	Basis-Produktnummer NTMTSC1
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 650µA