Name: SMUN5113DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: SMUN5113DW1T1GOSTR-ND
Price: 0.2737 EUR
Availability: OutOfStock

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SMUN5113DW1T1G
DigiKey-Teilenr.	SMUN5113DW1T1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SMUN5113DW1T1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SMUN5113DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	SMUN5113DW1T1G
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 187mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SMUN5113DW1T1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 300µA, 10mA
Hersteller onsemi	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 187mW
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Transistor-Typ 2 PNP - vorgespannt (zweif.)	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V	Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 47kOhm	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhm	Basis-Produktnummer MUN5113
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 80 bei 5mA, 10V

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
BCR198SH6327XTSA1	Infineon Technologies	448-BCR198SH6327XTSA1TR-ND	0,00000 €	Direkter Ersatz
DDA144EUQ-7-F	Diodes Incorporated	31-DDA144EUQ-7-FTR-ND	0,06321 €	Direkter Ersatz
PUMB2,115	Nexperia USA Inc.	1727-5231-1-ND	0,16000 €	Upgrade

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