RF-MOSFET 55 V 520 mA 3,5GHz 18,1dB 200W NI-650
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T1G4020036-FS

DigiKey-Teilenr.
2312-T1G4020036-FS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
T1G4020036-FS
Beschreibung
DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 55 V 520 mA 3,5GHz 18,1dB 200W NI-650
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Spannung - Test
55 V
Hersteller
Qorvo
Strom - Test
520 mA
Verpackung
Tablett
Leistung - Abgabe
200W
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Nennwert
145 V
Technologie
HEMT
Montagetyp
Oberflächenmontage
Konfiguration
N-Kanal
Gehäuse / Hülle
NI-650
Frequenz
3,5GHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
NI-650
Verstärkung
18,1dB
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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