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FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND |
Hersteller | Fairchild Semiconductor |
Hersteller-Teilenummer | FDP039N08B-F102 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 80 V 17 A (Ta), 80 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 100A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9450 pF @ 40 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 214W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
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