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IPP80R1K2P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP80R1K2P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP80R1K2P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 4,5 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP80R1K2P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 80µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
300 pF @ 500 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 1,7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon Technologies0IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND1,02000 €Vom Hersteller empfohlen
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