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SPD07N60S5BTMA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 2156-SPD07N60S5BTMA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPD07N60S5BTMA1 |
Beschreibung | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 600 V 17 A (Ta), 80 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 4,6A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 350µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 970 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 83W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | 0,68372 € | Ähnlich |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 0 | 497-13352-1-ND | 3,71000 € | Ähnlich |
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15458-1-ND | 1,59000 € | Ähnlich |
| TK10P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK10P60WRVQCT-ND | 3,68000 € | Ähnlich |
| TK560P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK560P60YRQCT-ND | 1,98000 € | Ähnlich |




