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N-Kanal 600 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6010ANX

DigiKey-Teilenr.
R6010ANX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6010ANX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6010ANX Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Herst.
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Lose im Beutel
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
R6011KNXC7GRohm Semiconductor0846-R6011KNXC7G-ND2,93000 ۀhnlich
FCPF11N60Fonsemi0FCPF11N60F-ND3,94000 ۀhnlich
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