Name: SCT2450KEGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2450KEGC11-ND
Price: 11.7691 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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SCT2450KEGC11
DigiKey-Teilenr.	846-SCT2450KEGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2450KEGC11
Beschreibung	1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 900µA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -6V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 463 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 585mOhm bei 3A, 18V	Basis-Produktnummer SCT2450

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