N-Kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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S2M0016120D-1

DigiKey-Teilenr.
1655-S2M0016120D-1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S2M0016120D-1
Beschreibung
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 23mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
285 nC @ 20 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4540 pF @ 1000 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
517W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V, 20V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm bei 75A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
114,44000 €14,44 €
1010,25000 €102,50 €
3007,80900 €2.342,70 €
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