
S2M0016120D-1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S2M0016120D-1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S2M0016120D-1 |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 140 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,6V bei 23mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 285 nC @ 20 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +20V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4540 pF @ 1000 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 517W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 75A, 20V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 14,44000 € | 14,44 € |
| 10 | 10,25000 € | 102,50 € |
| 300 | 7,80900 € | 2.342,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 14,44000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 17,18360 € |


